有機光電材料(誰知道有關(guān)有機半導體的知識)

1.誰知道有關(guān)有機半導體的知識

幫你找了幾篇類似綜述一樣的文章，要的話聯(lián)系我吧（點我可見）。

【篇名】 有機半導體研究進展 CAJ原文下載 PDF原文下載

【作者】 袁仁寬. 沈今楷. 孔凡.

【刊名】 固體電子學研究與進展 2003年01期 編輯部Email

《中文核心期刊要目總覽》來源期刊 “中國期刊方陣”入選期刊 ASPT來源刊 CJFD收錄期刊

【機構(gòu)】 南京大學物理系. 南京大學物理系 210093 .

【關(guān)鍵詞】 有機半導體. 有機發(fā)光二極管. 聚合物半導體. 有機晶體. 孤子.

【聚類檢索】 同類文獻 引用文獻 被引用文獻

【摘要】 1977年人們發(fā)現(xiàn)通過摻雜可以使聚乙炔膜的電導率提高 1 2個量級 ，由絕緣體變成導體 ，從此掀起了有機半導體的研究熱潮。其研究工作包括有機高分子材料、有機小分子材料和有機分子晶體材料的電學、光學等性質(zhì)。有機半導體中的載流子除了電子和空穴外 ，還有孤子、極化子等。人們已經(jīng)獲得低溫遷移率高達 1 0 5cm2 /V.s的高質(zhì)量有機半導體晶體 ，在其中觀察到量子霍爾效應 ，并用其制成有機半導體激光器。如今有機半導體彩色顯示屏已進入實用階段。

【光盤號】 INFO0306

【篇名】 有機半導體：無限的可能 CAJ原文下載 PDF原文下載

【刊名】 現(xiàn)代制造 2005年24期 編輯部Email

CJFD收錄期刊

【聚類檢索】 同類文獻 引用文獻 被引用文獻

【摘要】 有機半導體能夠支持一些全新的電子設備，從計算機制衣到可折疊顯示器等，都具有很大的發(fā)展?jié)摿?。有機半導體預示著新一代顯示器，標簽和油墨的到來。

【光盤號】 SCTC0512S2

【篇名】 有機半導體復合光導材料與器件的研究與發(fā)展 CAJ原文下載 PDF原文下載

【作者】 張翔宇. 汪茫. 陳紅征. 闕端麟.

【刊名】 自然科學進展 1999年07期 編輯部Email

《中文核心期刊要目總覽》來源期刊 “中國期刊方陣”入選期刊 ASPT來源刊 CJFD收錄期刊

【機構(gòu)】 浙江大學高分子科學與材料研究所硅材料國家重點實驗室. 浙江大學高分子科學與材料研究所硅材料國家重點實驗室 杭州 310027 .

【關(guān)鍵詞】 有機半導體. 有機光導體. 復合材料.

【聚類檢索】 同類文獻 引用文獻 被引用文獻

【摘要】 通過不同結(jié)構(gòu)、不同組成、不同功能的光導材料的復合，可以得到功能的協(xié)同增強、優(yōu)化以及互補效應。采用分子內(nèi)復合和分子間復合的方法，可以制備在可見光和近紅外區(qū)域均有很高光敏性的新型有機光導材料。同時，研制使材料與器件交叉滲透，結(jié)合為一體的單層有機光導體，可大大地降低生產(chǎn)成本。

【光盤號】 SCTA99S5

【篇名】 值得關(guān)注的有機光伏電池材料 CAJ原文下載 PDF原文下載

【作者】 孫景志. 汪茫. 周雪琴. 王植源.

【刊名】 材料導報 2002年02期 編輯部Email

ASPT來源刊 CJFD收錄期刊

【機構(gòu)】 浙江大學材料與化工學院高分子系. 加拿大Carleton大學化學系 浙江大學硅材料國家重點實驗室. 杭州 310027 .

【關(guān)鍵詞】 有機半導體. 光電池. 復合材料. 聚集態(tài)結(jié)構(gòu). 激發(fā)態(tài).

【聚類檢索】 同類文獻 引用文獻 被引用文獻

【摘要】 評述了近十年來有機光電池材料研究的最新進展，強調(diào)了材料復合對設計有機光伏電池的重要性，指出了有機半導體材料的分子聚集態(tài)結(jié)構(gòu)與材料凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)的調(diào)控在改善器件性能上發(fā)揮的決定性作用，揭示了激發(fā)態(tài)過程與激發(fā)態(tài)性質(zhì)的研究在提高光電轉(zhuǎn)換效率上的意義，分析了有機光電池材料的發(fā)展前景。

【光盤號】 SCTB02S1

2.什么是有機發(fā)光材料

高分子有機發(fā)光材料

第二種有機發(fā)光材料為高分子聚合物，也稱為高分子發(fā)光二極管（PLED），由英國劍橋大學的杰里米伯勒德及其同事首先發(fā)現(xiàn)。聚合物大多由小的有機分子以鏈狀方式結(jié)合在一起，以旋涂法形成高分子有機發(fā)光二極管。

旋轉(zhuǎn)涂布工藝采用的原理是：在旋轉(zhuǎn)的圓盤上（通常為每分鐘1200轉(zhuǎn)至1500轉(zhuǎn)）滴上數(shù)滴液體，液體會因為旋轉(zhuǎn)形成的離心力而呈薄膜狀分布。在這種狀態(tài)下，液體凝固后便可在膜體上形成晶體管等組件。膜體的厚度可通過調(diào)節(jié)液體粘度及旋轉(zhuǎn)時間來調(diào)整。旋涂之后，要采取烘干的步驟來除去溶劑。就工藝而言，旋涂法比熱蒸鍍法要經(jīng)濟。與柯達型低分子OLED相比，PLED有功效優(yōu)勢，這是由于在低壓工作環(huán)境下，聚合物層具有良好的導電性能。

最初PLED是由一種稱之為次苯基二價乙烯基（PPV）單層活性聚合物，夾于氧化銦錫和鈣之間形成。銦錫氧化物為載流子注入層，而鈣為電子傳遞層?，F(xiàn)在的PLED又增添了一層聚合物載流子注入層。PPV聚合物產(chǎn)生黃光，具有效率高壽命長的特點。這種PLED應用于計算機顯示器，其壽命可長達10000小時，相當于正常使用10年。其他的聚合物及復合聚合物也在開發(fā)之中，如陶氏化學公司研究開發(fā)了一種聚氟高分子。全彩色PLED也在開發(fā)中，主要是通過改變復合聚合物片段的長度來實現(xiàn)顯示功能，令人遺憾的是，與PPV相比，各種全彩色有機聚合物的壽命不長，而藍光聚合物始終不盡人意。

難關(guān)重重待飛越

盡管熒光OLED和PLED能耗較低，但仍有很大的改進空間。對第一代產(chǎn)品的最大限制因素是電子自旋，這種固有的量子特性決定著粒子對電磁場的反應。電子與空穴結(jié)合時，會產(chǎn)生激子。根據(jù)量子力學的規(guī)律，電子與空穴結(jié)合時，只有四分之一的激子會以光的形式釋放能量，其余的激子則以熱的形式釋放能量。

由美國普林斯頓大學的弗萊斯特及南加州大學的湯普森所領(lǐng)導的研究小組征服了這個難題。他們開發(fā)的OLED含有諸如鉑、銥等重金屬。一般而言，重金屬的外層電子，由于遠離原子核，旋轉(zhuǎn)角動量大。這種電子與其他電子相互作用，理論認為，百分之百的激子都會以光的形式釋放能量。為了與熒光OLED相區(qū)別，把用這種方式制備的OLED稱為磷光OLED。低分子OLED的效率給人留下了十分深刻的印象，除了藍光OLED外，其壽命未產(chǎn)生任何影響。不過，藍色磷光OLED尚未發(fā)現(xiàn)，目前有許多實驗室正在加緊研究，努力改變這種現(xiàn)狀。

第二個難關(guān)是低分子OLED能否以經(jīng)濟的旋涂法來產(chǎn)生各色有機發(fā)光材料。磷光OLED在這方面已經(jīng)有了重大進展。英國牛津大學的安德魯和奧普西斯合成了一種樹叢狀分子（dendrimers），有助于實現(xiàn)這種設想。“den鄄drimers”這個詞來自希臘的“dendros”，意思是樹和枝，樹上的分枝長到一定長度后又分成兩個分枝，如此重復進行，直到長成像球形一樣的樹叢。在樹叢狀分子中，分枝是內(nèi)部連結(jié)的高分子聚合鍵，每一個鍵又會產(chǎn)生新鍵，全部會向一個焦點聚合或向一個核聚合。

在樹叢狀分子上可形成大量鍵端球形突起物，就像毛線球上的絨毛。在合成過程中，可利用這些鍵端去執(zhí)行特殊的化學功能，例如，鍵端可帶電，發(fā)揮樹叢狀分子的高分子電解質(zhì)的功能。另外，在合成過程中，也能控制樹叢狀分子外部尺寸和內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。這有可能創(chuàng)造與外部不同性質(zhì)的內(nèi)腔和信道，并打開樹叢狀分子作為載體或作為受邀分子晶核的大門。

將樹叢狀分子應用于OLED，可以將磷光OLED作為核，形成大分子球，以適當?shù)脑貫榉种?，這樣OLED分子就能夠溶解，就可以利用類似PLED的制備方式，通過旋轉(zhuǎn)涂布和烘干來制備。樹叢狀分子具有非常良好的發(fā)光效率，目前可達每安培50堪德拉和每瓦40流明。

另外，盡管生產(chǎn)工藝不同，有機發(fā)光材料還是要獲得與陰極射線管和液晶顯示屏相同的畫面質(zhì)量，才能在市場上具有競爭力。為了獲得完美畫質(zhì)，每英寸點數(shù)不應小于100。目前陰極射線管和液晶顯示屏利用光刻技術(shù)都已達到或超過了上述要求。OLED目前主要以蔭罩技術(shù)進行多彩成膜的制備，距高分辨率顯示要求仍有差距，須待突破。噴墨技術(shù)為PLED發(fā)光色層精確定位提供了一個新的解決方案。它主要是將裝有不同顏色高分子發(fā)光材料，依序精確定位于所設計好的位置，其技術(shù)挑戰(zhàn)的關(guān)鍵在于能否精確定位、噴出的滴狀材料的大小是否配合畫面的尺寸、能否控制噴出液滴的一致性等。

3.光電子材料

光電子材料optoelectronic material 在光電子技術(shù)領(lǐng)域應用的，以光子、電子為載體，處理、存儲和傳遞信息的材料。

光電子技術(shù)是結(jié)合光學和電子學技術(shù)而發(fā)展起來的一門新技術(shù)，主要應用于信息領(lǐng)域，也用于能源和國防領(lǐng)域。已使用的光電子材料主要分為光學功能材料、激光材料、發(fā)光材料、光電信息傳輸材料（主要是光導纖維）、光電存儲材料、光電轉(zhuǎn)換材料、光電顯示材料（如電致發(fā)光材料和液晶顯示材料）和光電集成材料。

（一）新型光電子材料及相關(guān)基礎(chǔ)材料、關(guān)鍵設備和特種光電子器件 1、光電子基礎(chǔ)材料、生長源和關(guān)鍵設備 研究目標：突破新型生長源關(guān)鍵制備技術(shù)，掌握相關(guān)的檢測技術(shù)；突破半導體光電子器件的基礎(chǔ)材料制備技術(shù)，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。 研究內(nèi)容及主要指標： 1） 高純四氯化硅（4N）的純化技術(shù)和規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)（B類，要求企業(yè)負責并有配套投入） 2） 高純（6N）三甲基銦規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)（B類，要求企業(yè)負責并有配套投入） 3） 可協(xié)變（Compliant）襯底關(guān)鍵技術(shù)（A類） 4） 襯底材料制備與加工技術(shù)（B類） 重點研究開發(fā)外延用藍寶石、GaN、SiC等襯底材料的高標拋光產(chǎn)業(yè)化技術(shù)（Epi-ready級）；大尺寸（>2"）藍寶石襯底材料制備技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)。

藍寶石基GaN器件芯片切割技術(shù)。 5） 用于平板顯示的光電子基礎(chǔ)材料與關(guān)鍵設備技術(shù)（A類） 大面積（對角線>14〃）的定向排列碳納米管或納米棒薄膜生長的關(guān)鍵技術(shù)； 等離子體平板顯示用的新型高效熒光粉的關(guān)鍵技術(shù)。

2、人工晶體和全固態(tài)激光器技術(shù) 研究目標：研究探索新型人工晶體材料與應用技術(shù)，突破人工晶體的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，研制大功率全固態(tài)激光器，解決產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)問題。 研究內(nèi)容及主要指標： 1） 新型深紫外非線性光學晶體材料和全固態(tài)激光器（A類）； 2） 面向光子/聲子應用的人工微結(jié)構(gòu)晶體材料與器件 （A類）； 3） 研究開發(fā)瓦級紅、藍全固態(tài)激光器產(chǎn)業(yè)化技術(shù)（B類），高損傷閾值光學鍍膜關(guān)鍵技術(shù)（B類），基于全固態(tài)激光器的全色顯示技術(shù)（A類）； 4） 研究開發(fā)大功率半導體激光器陣列光纖耦合模塊產(chǎn)業(yè)化技術(shù)（B類）； 5) Yb系列激光晶體技術(shù)（A類）。

3、新型半導體材料與光電子器件技術(shù) 研究目標：重點研究自組裝半導體量子點、ZnO晶體和低維量子結(jié)構(gòu)、窄禁帶氮化物等新型半導體材料及光電子器件技術(shù)。 研究內(nèi)容及主要指標： 1） 研究ZnO晶體、低維量子結(jié)構(gòu)材料技術(shù)，研制短波長光電子器件 （A類） 2） 自組裝量子點激光器技術(shù) （A類） 3） Ⅲ-Ⅴ族窄禁帶氮化物材料及器件技術(shù)（A類） 4） 光泵浦外腔式面發(fā)射半導體激光器（A類） 4、光電子材料與器件產(chǎn)業(yè)化質(zhì)量控制技術(shù)（A類） 研究目標：發(fā)展人工晶體與全固態(tài)激光器、GaN基材料及器件表征評價技術(shù)，解決產(chǎn)業(yè)化質(zhì)量控制關(guān)鍵技術(shù)。

研究內(nèi)容：重點研究人工晶體與全固態(tài)激光器、GaN基材料及器件質(zhì)量監(jiān)測新方法與新技術(shù)，相關(guān)產(chǎn)品測試條件與數(shù)據(jù)標準化研究。 5、光電子材料與器件的微觀結(jié)構(gòu)設計與性能預測研究（A類） 研究目標：提出光電子新材料、新器件的構(gòu)思，為原始創(chuàng)新提供理論概念與設計 研究內(nèi)容：針對光電子技術(shù)的發(fā)展需求，結(jié)合本主題的研制任務，采用建立分析模型、進行計算機模擬，在不同尺度（從原子、分子到納米、介觀及宏觀）范圍內(nèi)，闡明材料性能與微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)系，以利性能、結(jié)構(gòu)及工藝的優(yōu)化。

解釋材料制備實驗中的新現(xiàn)象和問題，預測新結(jié)構(gòu)、新性能，預報新效應，以利材料研制的創(chuàng)新。低維量子結(jié)構(gòu)材料新型表征評價技術(shù)和設備。

（二）通信用光電子材料、器件與集成技術(shù) 1、集成光電子芯片和模塊技術(shù) 研究目標：突破并掌握用于光電集成（OEIC）、光子集成（PIC）與微光電機械（MOEMS）方面的材料和芯片的關(guān)鍵工藝技術(shù)，以典型器件的研制帶動研究開發(fā)工藝平臺的建設和完善，探索集成光電子系統(tǒng)設計和工藝制造協(xié)調(diào)發(fā)展的途徑，促進芯片、模塊和組件的產(chǎn)業(yè)化。 研究內(nèi)容及主要指標： 1） 光電集成芯片技術(shù) （1）速率在2.5Gb/s以上的長波長單片集成光發(fā)射機芯片及模塊關(guān)鍵技術(shù)（A類） （2） 高速 Si基單片集成光接收機芯片及模塊關(guān)鍵技術(shù)（A類） 2） 基于平面集成光波導技術(shù)的OADM芯片及模塊關(guān)鍵技術(shù)（A類） 3） 平面光波導器件的自動化耦合封裝關(guān)鍵技術(shù)（B類） 4） 基于微光電機械（MOEMS）芯片技術(shù)的8′8以上陣列光開關(guān)關(guān)鍵技術(shù)（A類） 5） 光電子芯片與集成系統(tǒng)（Integrated System）的無生產(chǎn)線設計技術(shù)研究（A類） 2、通信光電子關(guān)鍵器件技術(shù) 研究目標：針對干線高速通信系統(tǒng)和密集波分復用系統(tǒng)、全光網(wǎng)絡以及光接入網(wǎng)系統(tǒng)的需要，重點進行一批技術(shù)含量高、市場前景廣闊的目標產(chǎn)品和單元技術(shù)的研究開發(fā)，迅速促進相應產(chǎn)品系列的形成和規(guī)?；a(chǎn)，顯著提高我國通信光電子關(guān)鍵器件產(chǎn)業(yè)的綜合競爭能力。

研究內(nèi)容及主要指標： （1） 速率在10Gb/s以上的高速光探測器組件（PIN-TIA） 目標產(chǎn)品和規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)，直接調(diào)制DFB-LD目標產(chǎn)品和規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)，光轉(zhuǎn)發(fā)器（Transponder）目標產(chǎn)品和規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)；（均為B類，要求企業(yè)負責并有配套投入） （2） 40通道、0.8nm間隔。