存儲器擴(kuò)展設(shè)計(jì)的方法(存儲器的擴(kuò)展方式哪三種)

1.存儲器的擴(kuò)展方式哪三種

存儲器的擴(kuò)展方式有字?jǐn)U展、位擴(kuò)展、字位同時(shí)擴(kuò)展。存儲器芯片與單片機(jī)擴(kuò)展連接具有共同的規(guī)律。即不論何種存儲器芯片，其引腳都呈三總線結(jié)構(gòu)，與單片機(jī)連接都是三總線對接。另外，電源線接電源線，地線接地線。

目前生產(chǎn)的存儲器芯片容量有限，在字?jǐn)?shù)或字長方面與實(shí)際存儲器要求有所差距，所以要在字向與位向兩方面進(jìn)行擴(kuò)充，才能滿足實(shí)際存儲器的要求。

cpu對存儲器進(jìn)行讀寫操作時(shí)，首先由地址總線給出地址信號，然后再發(fā)出有關(guān)進(jìn)行讀操作與寫操作的控制信號，最后在數(shù)據(jù)總線上進(jìn)行信息交換。

擴(kuò)展資料：

存儲器的擴(kuò)展技術(shù)：

總片數(shù)=總?cè)萘?（容量/片）。

例：存儲器容量為8K*8b，若選用2114芯片（1K*4b），則需要的芯片數(shù)為：（8K*8b）/(1K*4b)=16（片）。

(1)位擴(kuò)展。

只在位數(shù)方向擴(kuò)展（加大字長），而芯片的字?jǐn)?shù)和存儲器的字?jǐn)?shù)是一致的。即b前面不一樣，K前面保持一樣。

例：用64K*1b的SRAM芯片組成64K*8b的存儲器，所需芯片數(shù)為：（64K*8b）/(64K*1b)=8（片）。

位擴(kuò)展的關(guān)鍵就是將兩個(gè)存儲芯片當(dāng)成一個(gè)存儲芯片來用，讓兩個(gè)存儲芯片同時(shí)工作，同時(shí)被選中，同時(shí)做讀操作，同時(shí)做寫操作，要想保證同時(shí)，就是把兩個(gè)芯片的片選，用相同的信號進(jìn)行連接。

(2)字?jǐn)U展。

僅在字?jǐn)?shù)方向擴(kuò)展，而位數(shù)不變。即K前面不一樣，b前面保持一樣。

例：用16K*8b的SRAM組成以64K*8b的存儲器，所需芯片數(shù)為：（64K*8b）/(16K*8b)=4（片）。

(3)字和位同時(shí)擴(kuò)展。

參考資料來源：搜狗百科-位擴(kuò)展

參考資料來源：搜狗百科-字?jǐn)U展

2.由存儲器芯片擴(kuò)展成存儲器由哪幾種譯碼方式各由什么特點(diǎn)

容量擴(kuò)展主要有兩種方式，并位和串位，舉個(gè)例子，有個(gè)2KB的存儲器，我再擴(kuò)展個(gè)2KB的存儲器，如果是并位擴(kuò)展方式，地址范圍還是2k的空間，不過每次讀出的是16bit；如果是串位方式，則直接擴(kuò)展成4KB，有4k的地址范圍，每次讀出8bit，不知道你明白了沒有？這個(gè)跟片選信號連接方式，以及地址、數(shù)據(jù)線連接方式有關(guān).

一般來說是以Byte為讀取單位，通常都是串行擴(kuò)展，即地址線性擴(kuò)展，2KB的空間，再增加2KB，一共就4KB的存儲器，也是最常用的方式，地址線的高位通過譯碼電路構(gòu)成片選信號，低位為每片的地址信號.